Продукція > ONSEMI > NTMFS4C09NAT1G
NTMFS4C09NAT1G

NTMFS4C09NAT1G onsemi

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.81 грн
10+59.01 грн
100+45.93 грн
500+36.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4C09NAT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTMFS4C09NAT1G за ціною від 31.63 грн до 96.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS4C09NAT1G NTMFS4C09NAT1G Виробник : onsemi NTMFS4C09N_D-2318858.pdf MOSFETs NFET SO8FL 30V 52A 5.8M
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.13 грн
10+74.96 грн
100+47.23 грн
500+37.15 грн
1000+35.68 грн
1500+31.78 грн
9000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NAT1G Виробник : Aptina Imaging Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
785+38.89 грн
1000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 785
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NAT1G Виробник : Aptina Imaging Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
785+38.89 грн
1000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 785
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NAT1G Виробник : Aptina Imaging Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
785+38.89 грн
1000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 785
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NAT1G Виробник : Aptina Imaging Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP
на замовлення 676500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
785+38.89 грн
1000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 785
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NAT1G Виробник : ON Semiconductor
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NAT1G Виробник : ON Semiconductor pgurl_materialcomposition.dosearchpartsntmfs4c09n.dosearchpartsntmfs4c0.pdf MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NAT1G NTMFS4C09NAT1G Виробник : onsemi Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.