 
NTMFS4C09NAT1G ON Semiconductor
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 644+ | 48.11 грн | 
| 1000+ | 44.36 грн | 
| 10000+ | 39.56 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4C09NAT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V. 
Інші пропозиції NTMFS4C09NAT1G за ціною від 31.95 грн до 107.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | NTMFS4C09NAT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP | на замовлення 1500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | NTMFS4C09NAT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP | на замовлення 4998 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | NTMFS4C09NAT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP | на замовлення 685500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | NTMFS4C09NAT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP | на замовлення 656 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | NTMFS4C09NAT1G | Виробник : onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V | на замовлення 1497 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
|   | NTMFS4C09NAT1G | Виробник : onsemi |  MOSFETs NFET SO8FL 30V 52A 5.8M | на замовлення 1589 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| NTMFS4C09NAT1G | Виробник : ON Semiconductor | на замовлення 7490 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
| NTMFS4C09NAT1G | Виробник : ON Semiconductor |  MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL | товару немає в наявності | ||||||||||||||||
|   | NTMFS4C09NAT1G | Виробник : onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V | товару немає в наявності |