
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 110.72 грн |
10+ | 76.65 грн |
100+ | 46.27 грн |
500+ | 36.86 грн |
1500+ | 35.83 грн |
3000+ | 35.39 грн |
24000+ | 35.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4C09NBT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V SO8FL, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc), Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції NTMFS4C09NBT1G за ціною від 35.34 грн до 117.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMFS4C09NBT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V SO8FL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V |
на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
NTMFS4C09NBT1G | Виробник : ON Semiconductor | NFET SO8FL 30V 52A 5.8M Ohm |
на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
NTMFS4C09NBT1G | Виробник : ON Semiconductor | NFET SO8FL 30V 52A 5.8M Ohm |
на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
NTMFS4C09NBT1G | Виробник : ON Semiconductor | NFET SO8FL 30V 52A 5.8M Ohm |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
NTMFS4C09NBT1G | Виробник : ON Semiconductor | NFET SO8FL 30V 52A 5.8M Ohm |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
NTMFS4C09NBT1G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 8660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
NTMFS4C09NBT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
NTMFS4C09NBT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V SO8FL Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |