| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 106.08 грн |
| 10+ | 73.44 грн |
| 100+ | 44.33 грн |
| 500+ | 35.31 грн |
| 1500+ | 34.33 грн |
| 3000+ | 33.90 грн |
| 24000+ | 33.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4C09NBT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V SO8FL, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Part Status: Active, Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Packaging: Tape & Reel (TR), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads.
Інші пропозиції NTMFS4C09NBT1G за ціною від 35.22 грн до 117.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS4C09NBT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V SO8FL Part Status: Active Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads |
на замовлення 1395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| NTMFS4C09NBT1G | ON Semiconductor |
на замовлення 8660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMFS4C09NBT1G |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V SO8FL
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Description: MOSFET N-CH 30V SO8FL
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.35 грн |
| 10+ | 71.47 грн |
| 100+ | 47.73 грн |
| 500+ | 35.22 грн |
| NTMFS4C09NBT1G |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 8660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)