Продукція > ONSEMI > NTMFS4C09NBT1G
NTMFS4C09NBT1G

NTMFS4C09NBT1G onsemi

NTMFS4C09N_D-2318858.pdf Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.19 грн
10+72.13 грн
100+43.54 грн
500+34.68 грн
1500+33.71 грн
3000+33.30 грн
24000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4C09NBT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V SO8FL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTMFS4C09NBT1G за ціною від 34.59 грн до 115.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS4C09NBT1G NTMFS4C09NBT1G Виробник : onsemi Description: MOSFET N-CH 30V SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.26 грн
10+70.20 грн
100+46.88 грн
500+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NBT1G Виробник : ON Semiconductor NFET SO8FL 30V 52A 5.8M Ohm
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
644+50.39 грн
1000+46.47 грн
10000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 644
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NBT1G Виробник : ON Semiconductor NFET SO8FL 30V 52A 5.8M Ohm
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
644+50.39 грн
1000+46.47 грн
10000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 644
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NBT1G Виробник : ON Semiconductor NFET SO8FL 30V 52A 5.8M Ohm
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
644+50.39 грн
1000+46.47 грн
10000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 644
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NBT1G Виробник : ON Semiconductor NFET SO8FL 30V 52A 5.8M Ohm
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
644+50.39 грн
1000+46.47 грн
10000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 644
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NBT1G Виробник : ON Semiconductor
на замовлення 8660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NBT1G NTMFS4C09NBT1G Виробник : onsemi Description: MOSFET N-CH 30V SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.