NTMFS4C09NT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4C09NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 5800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 22.72 грн |
| 500+ | 19.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4C09NT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C09NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 5800 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25.5W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTMFS4C09NT1G за ціною від 8.54 грн до 88.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS4C09NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS4C09NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS4C09NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 52A, 5.8mohm |
на замовлення 1881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C09NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C09NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 5800 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 25.5W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C09NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V |
на замовлення 5310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTMFS4C09NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 695 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C09NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NTMFS4C09NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
товару немає в наявності |