Продукція > ONSEMI > NTMFS4C09NT1G
NTMFS4C09NT1G

NTMFS4C09NT1G ONSEMI

2160863.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C09NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 5800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+21.05 грн
500+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4C09NT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS4C09NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 5800 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25.5W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTMFS4C09NT1G за ціною від 7.61 грн до 82.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMFS4C09NT1G NTMFS4C09NT1G onsemi ntmfs4c09n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.51 грн
3000+19.87 грн
4500+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1G NTMFS4C09NT1G onsemi BA3D74F2B87DDA15821A0102DB08D82A8789CDB2D0D28E85ED76C0C24B458599.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 52A, 5.8mohm
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.15 грн
13+25.78 грн
100+16.28 грн
500+12.33 грн
1000+11.42 грн
1500+8.95 грн
3000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1G NTMFS4C09NT1G ONSEMI 2160863.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4C09NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 5800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.28 грн
26+32.81 грн
100+21.05 грн
500+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1G NTMFS4C09NT1G onsemi ntmfs4c09n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
на замовлення 5310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.46 грн
10+49.71 грн
100+32.61 грн
500+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1G ON Semiconductor ntmfs4c09n-d.pdf
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1G ntmfs4c09n-d.pdf
NTMFS4C09NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+22.51 грн
3000+19.87 грн
4500+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1G BA3D74F2B87DDA15821A0102DB08D82A8789CDB2D0D28E85ED76C0C24B458599.pdf
NTMFS4C09NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 52A, 5.8mohm
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.15 грн
13+25.78 грн
100+16.28 грн
500+12.33 грн
1000+11.42 грн
1500+8.95 грн
3000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1G 2160863.pdf
NTMFS4C09NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C09NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 5800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+53.28 грн
26+32.81 грн
100+21.05 грн
500+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1G ntmfs4c09n-d.pdf
NTMFS4C09NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
на замовлення 5310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+82.46 грн
10+49.71 грн
100+32.61 грн
500+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C09NT1G ntmfs4c09n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.