Продукція > ONSEMI > NTMFS4C10NCT1G
NTMFS4C10NCT1G

NTMFS4C10NCT1G onsemi

ntmfs4c10n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 46A (Tc)
Power Dissipation (Max): 2.49W (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
на замовлення 247500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+8.20 грн
3000+7.18 грн
4500+6.99 грн
7500+6.33 грн
10500+6.31 грн
15000+5.77 грн
37500+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4C10NCT1G onsemi

Description: NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 46A (Tc), Power Dissipation (Max): 2.49W (Ta), 23.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTMFS4C10NCT1G за ціною від 10.25 грн до 37.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS4C10NCT1G NTMFS4C10NCT1G onsemi ntmfs4c10n-d.pdf Description: NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 46A (Tc)
Power Dissipation (Max): 2.49W (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
на замовлення 247500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.89 грн
14+22.71 грн
100+15.05 грн
500+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NCT1G NTMFS4C10NCT1G onsemi ntmfs4c10n-d.pdf MOSFETs NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NCT1G ntmfs4c10n-d.pdf
NTMFS4C10NCT1G
Виробник: onsemi
Description: NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 46A (Tc)
Power Dissipation (Max): 2.49W (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
на замовлення 247500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.89 грн
14+22.71 грн
100+15.05 грн
500+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C10NCT1G ntmfs4c10n-d.pdf
NTMFS4C10NCT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.