NTMFS4C10NT1G-001 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/46A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
на замовлення 668206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1332+ | 15.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4C10NT1G-001 onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS4C10NT1G-001 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46 A, 0.0058 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23.6W, Bauform - Transistor: SO-8 FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTMFS4C10NT1G-001 за ціною від 21.49 грн до 21.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS4C10NT1G-001 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C10NT1G-001 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46 A, 0.0058 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 23.6W Bauform - Transistor: SO-8 FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 668206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
NTMFS4C10NT1G-001 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A/46A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||
 |
NTMFS4C10NT1G-001 | Виробник : onsemi |
MOSFET NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO |
товар відсутній |