Інші пропозиції NTMFS4C10NT1G за ціною від 9.36 грн до 43.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMFS4C10NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 36472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS4C10NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 5169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS4C10NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 250099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS4C10NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A 5DFNInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), 23.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
на замовлення 1137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS4C10NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS4C10NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
NTMFS4C10NT1G | onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 46A, 6.95mohm |
на замовлення 3821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTMFS4C10NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C10NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 392242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTMFS4C10NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 36472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2804+ | 12.53 грн |
| 10000+ | 11.17 грн |
| NTMFS4C10NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 5169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2804+ | 12.53 грн |
| NTMFS4C10NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 250099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2804+ | 12.53 грн |
| 10000+ | 11.17 грн |
| 100000+ | 9.36 грн |
| NTMFS4C10NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), 23.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), 23.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.10 грн |
| 12+ | 25.72 грн |
| 100+ | 16.50 грн |
| 500+ | 11.73 грн |
| NTMFS4C10NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 43.81 грн |
| NTMFS4C10NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 321+ | 43.81 грн |
| NTMFS4C10NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 46A, 6.95mohm
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 46A, 6.95mohm
на замовлення 3821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTMFS4C10NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C10NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NTMFS4C10NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 392242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





