NTMFS4C10NT1G ON Semiconductor
на замовлення 5169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2804+ | 11.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4C10NT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), 23.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NTMFS4C10NT1G за ціною від 6.46 грн до 46.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMFS4C10NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 36472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS4C10NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 250099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS4C10NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS4C10NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C10NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 46A, 6.95mohm |
на замовлення 3821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS4C10NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C10NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 392242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS4C10NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A 5DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), 23.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V |
на замовлення 1137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS4C10NT1G Код товару: 175661
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
NTMFS4C10NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C10NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
NTMFS4C10NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A 5DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), 23.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTMFS4C10NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; Idm: 340A; 23.6W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 46A Pulsed drain current: 340A Power dissipation: 23.6W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |


