NTMFS4C302NT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 28.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4C302NT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 41A/230A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 230A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5780 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NTMFS4C302NT1G за ціною від 20.82 грн до 121.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C302NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C302NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C302NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS4C302NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 41A/230A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5780 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS4C302NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C302NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 61500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C302NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 60900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS4C302NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFET SO8FL 30V 1.15MO |
на замовлення 2045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C302NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 264970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C302NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 264970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C302NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C302NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C302NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 41A/230A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5780 pF @ 15 V |
на замовлення 4300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C302NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTMFS4C302NT1G | Виробник : ONN |
|
на замовлення 10500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NTMFS4C302NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 230A; Idm: 900A; 96W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 230A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 96W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |