NTMFS4D0N08XT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 133µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 40 V
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.24 грн |
| 10+ | 70.40 грн |
| 100+ | 60.82 грн |
| 500+ | 51.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4D0N08XT1G onsemi
Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 133µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 40 V.
Інші пропозиції NTMFS4D0N08XT1G за ціною від 42.12 грн до 137.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMFS4D0N08XT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 119A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4D0N08XT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.5mohm, 119 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.5mohm, 119 A |
на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS4D0N08XT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 119A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4D0N08XT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 119A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
NTMFS4D0N08XT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 119A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
NTMFS4D0N08XT1G | Виробник : onsemi |
Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FLPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 133µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
