Продукція > ONSEMI > NTMFS4D0N08XT1G
NTMFS4D0N08XT1G

NTMFS4D0N08XT1G onsemi

ntmfs4d0n08x-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 133µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 40 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+37.47 грн
3000+33.45 грн
4500+32.10 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4D0N08XT1G onsemi

Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 133µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NTMFS4D0N08XT1G за ціною від 38.78 грн до 126.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS4D0N08XT1G NTMFS4D0N08XT1G onsemi ntmfs4d0n08x-d.pdf Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 133µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 40 V
на замовлення 5123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.03 грн
10+77.28 грн
100+52.12 грн
500+38.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4D0N08XT1G NTMFS4D0N08XT1G onsemi ntmfs4d0n08x-d.pdf MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4D0N08XT1G ntmfs4d0n08x-d.pdf
NTMFS4D0N08XT1G
Виробник: onsemi
Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 133µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 40 V
на замовлення 5123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.03 грн
10+77.28 грн
100+52.12 грн
500+38.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4D0N08XT1G ntmfs4d0n08x-d.pdf
NTMFS4D0N08XT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.