Продукція > ONSEMI > NTMFS4D2N10MDT1G
NTMFS4D2N10MDT1G

NTMFS4D2N10MDT1G onsemi

ntmfs4d2n10md-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 239µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 113A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+74.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4D2N10MDT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 113A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 132W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMFS4D2N10MDT1G за ціною від 76.18 грн до 230.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS4D2N10MDT1G NTMFS4D2N10MDT1G onsemi ntmfs4d2n10md-d.pdf Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 239µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 132W (Tc)
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 113A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.15 грн
10+144.17 грн
100+100.04 грн
500+76.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4D2N10MDT1G NTMFS4D2N10MDT1G onsemi ntmfs4d2n10md-d.pdf MOSFETs PTNG 100V LOW Q 42MOHM N-FET SO8FL
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4D2N10MDT1G NTMFS4D2N10MDT1G ONSEMI 3191518.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4D2N10MDT1G NTMFS4D2N10MDT1G ONSEMI 3191518.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 132W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4D2N10MDT1G ntmfs4d2n10md-d.pdf
NTMFS4D2N10MDT1G
Виробник: onsemi
Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 239µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 132W (Tc)
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 113A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+230.15 грн
10+144.17 грн
100+100.04 грн
500+76.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4D2N10MDT1G ntmfs4d2n10md-d.pdf
NTMFS4D2N10MDT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 100V LOW Q 42MOHM N-FET SO8FL
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4D2N10MDT1G 3191518.pdf
NTMFS4D2N10MDT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4D2N10MDT1G 3191518.pdf
NTMFS4D2N10MDT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 132W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.