NTMFS4D2N10MDT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 239µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 78.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4D2N10MDT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 113A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 132W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTMFS4D2N10MDT1G за ціною від 74.19 грн до 240.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS4D2N10MDT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 132W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS4D2N10MDT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs PTNG 100V LOW Q 42MOHM N-FET SO8FL |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS4D2N10MDT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4D2N10MDT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 113 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS4D2N10MDT1G | Виробник : onsemi |
Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 113A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 239µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V |
на замовлення 1954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS4D2N10MDT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NTMFS4D2N10MDT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 113A; Idm: 763A; 132W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 113A Pulsed drain current: 763A Power dissipation: 132W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| NTMFS4D2N10MDT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 113A; Idm: 763A; 132W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 113A Pulsed drain current: 763A Power dissipation: 132W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |