Продукція > ONSEMI > NTMFS4H02NFT1G
NTMFS4H02NFT1G

NTMFS4H02NFT1G ONSEMI

ONSM-S-A0013300155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4H02NFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 193 A, 0.009 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24.6W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+184.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4H02NFT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS4H02NFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 193 A, 0.009 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 193A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24.6W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTMFS4H02NFT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS4H02NFT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4h02nf-d.pdf
на замовлення 8775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4H02NFT1G NTMFS4H02NFT1G Виробник : onsemi ntmfs4h02nf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2652 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4H02NFT1G Виробник : ON Semiconductor NTMFS4H02NF-D-599992.pdf MOSFET FETKY SO8FL 25V 193A 1.4M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.