NTMFS5113PLT1G onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1500+ | 68.76 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5113PLT1G onsemi
Description: NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V. 
Інші пропозиції NTMFS5113PLT1G за ціною від 69.86 грн до 232.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        NTMFS5113PLT1G | Виробник : onsemi | 
            
                         Description: NFET SO8FL 60V 69A 16MOHMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V  | 
        
                             на замовлення 2887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
| 
             | 
        NTMFS5113PLT1G | Виробник : onsemi | 
            
                         MOSFETs NFET SO8FL 60V 69A 1 6MOHM         | 
        
                             на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
| NTMFS5113PLT1G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Power MOSFET -60 V, 14 mW, -64 A, Single P-Channel         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        ||||||||||||||||
                      | 
        NTMFS5113PLT1G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         Trans MOSFET P-CH 60V 10A 5-Pin SO-FL EP T/R         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        
