NTMFS5113PLT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 69.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5113PLT1G onsemi
Description: NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTMFS5113PLT1G за ціною від 68.07 грн до 226.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS5113PLT1G | Виробник : onsemi |
Description: NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V |
на замовлення 2576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS5113PLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFET SO8FL 60V 69A 1 6MOHM |
на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTMFS5113PLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Power MOSFET -60 V, 14 mW, -64 A, Single P-Channel |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
NTMFS5113PLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NTMFS5113PLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -64A; Idm: -415A; 75W; DFN5 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -64A Pulsed drain current: -415A Power dissipation: 75W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| NTMFS5113PLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -64A; Idm: -415A; 75W; DFN5 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -64A Pulsed drain current: -415A Power dissipation: 75W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |