NTMFS5C404NT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 57+ | 352.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5C404NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 570 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 378A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTMFS5C404NT1G за ціною від 258.11 грн до 507.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS5C404NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 570 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 378A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS5C404NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 53A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C404NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 53A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C404NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C404NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 378 A, 570 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 378A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C404NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 53A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 189381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS5C404NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFET SO8FL 40V 345A 8MOHM |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTMFS5C404NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 988 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C404NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 53A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C404NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C404NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 378A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |