Продукція > ONSEMI > NTMFS5C410NLT1G
NTMFS5C410NLT1G

NTMFS5C410NLT1G onsemi

ntmfs5c410nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+82.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS5C410NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 302A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTMFS5C410NLT1G за ціною від 74.20 грн до 231.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS5C410NLT1G NTMFS5C410NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c410nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
203+153.74 грн
500+138.16 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C410NLT1G NTMFS5C410NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c410nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
203+153.74 грн
500+138.16 грн
1000+127.77 грн
10000+109.19 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C410NLT1G NTMFS5C410NLT1G Виробник : onsemi 61073E9ECEAB2D5A69D886DDB85E5CA274EAECC9BB482399848EBE3DEF737F56.pdf MOSFETs NFET SO8FL 40V 312A 900MO
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.50 грн
10+162.62 грн
100+100.36 грн
500+87.43 грн
1000+79.83 грн
1500+74.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C410NLT1G NTMFS5C410NLT1G Виробник : onsemi ntmfs5c410nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
на замовлення 23848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.92 грн
10+149.76 грн
100+106.55 грн
500+83.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C410NLT1G NTMFS5C410NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c410nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 50A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C410NLT1G NTMFS5C410NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c410nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C410NLT1G Виробник : ONSEMI ntmfs5c410nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; Idm: 900A; 56W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 330A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 56W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 820µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.