Продукція > ONSEMI > NTMFS5C410NLTT1G

NTMFS5C410NLTT1G onsemi


ntmfs5c410nlt-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+389.78 грн
10+263.19 грн
100+196.63 грн
500+164.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS5C410NLTT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active.

Інші пропозиції NTMFS5C410NLTT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMFS5C410NLTT1G ONN ntmfs5c410nlt-d.pdf
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C410NLTT1G ntmfs5c410nlt-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.