NTMFS5C410NT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 67.65 грн |
| 3000+ | 63.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5C410NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS5C410NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTMFS5C410NT1G за ціною від 45.22 грн до 551.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS5C410NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C410NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 167665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C410NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS5C410NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs T6D3F 40V NFET |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C410NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C410NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V |
на замовлення 15561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS5C410NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C410NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C410NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C410NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 760 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 760µohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
NTMFS5C410NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C410NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C410NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTMFS5C410NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 900A; 83W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 300A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 83W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 920µΩ Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |