Продукція > ONSEMI > NTMFS5C426NLT1G
NTMFS5C426NLT1G

NTMFS5C426NLT1G onsemi

ntmfs5c426nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+53.56 грн
3000+49.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS5C426NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 237A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 128W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTMFS5C426NLT1G за ціною від 29.06 грн до 194.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMFS5C426NLT1G NTMFS5C426NLT1G ONSEMI ntmfs5c426nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 128W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.64 грн
500+36.27 грн
1000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NLT1G NTMFS5C426NLT1G ONSEMI ntmfs5c426nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.64 грн
11+80.06 грн
100+53.64 грн
500+36.27 грн
1000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NLT1G NTMFS5C426NLT1G onsemi ntmfs5c426nl-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.02 грн
10+98.49 грн
100+74.36 грн
500+55.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NLT1G NTMFS5C426NLT1G onsemi NTMFS5C426NL_D-2318777.pdf MOSFET 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SINGLE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 1157-1166 дні (днів)
2+194.10 грн
10+159.57 грн
100+110.45 грн
250+101.48 грн
500+92.51 грн
1000+78.70 грн
1500+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NLT1G ntmfs5c426nl-d.pdf
NTMFS5C426NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 128W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+53.64 грн
500+36.27 грн
1000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NLT1G ntmfs5c426nl-d.pdf
NTMFS5C426NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+125.64 грн
11+80.06 грн
100+53.64 грн
500+36.27 грн
1000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NLT1G ntmfs5c426nl-d.pdf
NTMFS5C426NLT1G
Виробник: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+139.02 грн
10+98.49 грн
100+74.36 грн
500+55.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NLT1G NTMFS5C426NL_D-2318777.pdf
NTMFS5C426NLT1G
Виробник: onsemi
MOSFET 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SINGLE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 1157-1166 дні (днів)
КількістьЦіна
2+194.10 грн
10+159.57 грн
100+110.45 грн
250+101.48 грн
500+92.51 грн
1000+78.70 грн
1500+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.