Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > NTMFS5C426NT1G

NTMFS5C426NT1G

ntmfs5c426n-d.pdf
Код товару: 165532
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NTMFS5C426NT1G за ціною від 52.25 грн до 107.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G onsemi ntmfs5c426n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+56.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G ON Semiconductor ntmfs5c426n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
586+60.25 грн
1000+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 586 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G ON Semiconductor ntmfs5c426n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
586+60.25 грн
1000+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 586 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G onsemi ntmfs5c426n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.14 грн
10+78.62 грн
100+61.57 грн
500+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G onsemi NTMFS5C426N_D-2318995.pdf MOSFETs T6D3F 40V NFET
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G ONSEMI ntmfs5c426n-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C426NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426NT1G ONSEMI ntmfs5c426n-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C426NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NT1G ntmfs5c426n-d.pdf
NTMFS5C426NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+56.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NT1G ntmfs5c426n-d.pdf
NTMFS5C426NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
586+60.25 грн
1000+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 586 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NT1G ntmfs5c426n-d.pdf
NTMFS5C426NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
586+60.25 грн
1000+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 586 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NT1G ntmfs5c426n-d.pdf
NTMFS5C426NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.14 грн
10+78.62 грн
100+61.57 грн
500+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NT1G NTMFS5C426N_D-2318995.pdf
NTMFS5C426NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T6D3F 40V NFET
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NT1G ntmfs5c426n-d.pdf
NTMFS5C426NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NT1G ntmfs5c426n-d.pdf
NTMFS5C426NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.