Продукція > ONSEMI > NTMFS5C430NT1G
NTMFS5C430NT1G

NTMFS5C430NT1G onsemi

ntmfs5c430-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+45.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS5C430NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTMFS5C430NT1G за ціною від 26.63 грн до 93.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS5C430NT1G NTMFS5C430NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c430-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+61.56 грн
201+60.94 грн
236+51.80 грн
250+49.45 грн
500+42.48 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C430NT1G NTMFS5C430NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c430-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+67.32 грн
11+57.16 грн
25+56.59 грн
100+46.38 грн
250+42.52 грн
500+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C430NT1G NTMFS5C430NT1G Виробник : onsemi ntmfs5c430-d.pdf MOSFETs T6D3F 40V NFET
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.28 грн
10+61.76 грн
25+53.48 грн
100+42.52 грн
500+36.05 грн
1000+28.25 грн
1500+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C430NT1G NTMFS5C430NT1G Виробник : onsemi ntmfs5c430-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.11 грн
10+66.82 грн
100+51.12 грн
500+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C430NT1G NTMFS5C430NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c430-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C430NT1G NTMFS5C430NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c430-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C430NT1G Виробник : ONSEMI ntmfs5c430-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 185A; Idm: 900A; 53W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 53W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C430NT1G Виробник : ONSEMI ntmfs5c430-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 185A; Idm: 900A; 53W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 53W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.