NTMFS5C450NT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS5C450NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 102 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 232.73 грн |
| 500+ | 211.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5C450NT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C450NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 102 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 102A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTMFS5C450NT1G за ціною від 211.51 грн до 242.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS5C450NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C450NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 102 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 102A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTMFS5C450NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET T6D3F 40V NFET |
на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||
| NTMFS5C450NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
NTMFS5C450NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
NTMFS5C450NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
NTMFS5C450NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/102A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 102A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
NTMFS5C450NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/102A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 102A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |