Продукція > ONSEMI > NTMFS5C456NLT1G
NTMFS5C456NLT1G

NTMFS5C456NLT1G onsemi

ntmfs5c456nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS5C456NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS5C456NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMFS5C456NLT1G за ціною від 26.94 грн до 77.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS5C456NLT1G NTMFS5C456NLT1G onsemi ntmfs5c456nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.82 грн
10+47.45 грн
100+34.23 грн
500+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C456NLT1G NTMFS5C456NLT1G ON Semiconductor ntmfs5c456nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+77.16 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C456NLT1G NTMFS5C456NLT1G onsemi ntmfs5c456nl-d.pdf MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C456NLT1G NTMFS5C456NLT1G ONSEMI ntmfs5c456nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C456NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C456NLT1G NTMFS5C456NLT1G ONSEMI ntmfs5c456nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C456NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C456NLT1G ntmfs5c456nl-d.pdf
NTMFS5C456NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.82 грн
10+47.45 грн
100+34.23 грн
500+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C456NLT1G ntmfs5c456nl-d.pdf
NTMFS5C456NLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
183+77.16 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C456NLT1G ntmfs5c456nl-d.pdf
NTMFS5C456NLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C456NLT1G ntmfs5c456nl-d.pdf
NTMFS5C456NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C456NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C456NLT1G ntmfs5c456nl-d.pdf
NTMFS5C456NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C456NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 87 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.