NTMFS5C460NLT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 21.93 грн |
| 3000+ | 20.97 грн |
| 4500+ | 20.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5C460NLT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS5C460NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції NTMFS5C460NLT1G за ціною від 12.30 грн до 45.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS5C460NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C460NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS5C460NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS5C460NLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8 |
на замовлення 11429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS5C460NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C460NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS5C460NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V |
на замовлення 6389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS5C460NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
NTMFS5C460NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NTMFS5C460NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 21A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NTMFS5C460NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 78A; Idm: 520A; 25W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 78A Pulsed drain current: 520A Power dissipation: 25W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |