Технічний опис NTMFS5C468NLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS5C468NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 37 A, 0.0086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTMFS5C468NLT1G за ціною від 9.59 грн до 34.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMFS5C468NLT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 5DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 31500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 328500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS5C468NLT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 5DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V |
на замовлення 23702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor |
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8 |
на замовлення 31736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
NTMFS5C468NLT1G | onsemi |
MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8 |
на замовлення 19997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NTMFS5C468NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C468NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 37 A, 0.0086 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NTMFS5C468NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C468NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 37 A, 0.0086 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMFS5C468NLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 14.42 грн |
| 3000+ | 13.34 грн |
| 4500+ | 13.03 грн |
| 7500+ | 9.94 грн |
| 10500+ | 9.59 грн |
| NTMFS5C468NLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2159+ | 16.35 грн |
| NTMFS5C468NLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 328500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2159+ | 16.35 грн |
| NTMFS5C468NLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 18.55 грн |
| 3000+ | 18.06 грн |
| NTMFS5C468NLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 596+ | 23.68 грн |
| 694+ | 20.34 грн |
| 708+ | 19.94 грн |
| 800+ | 17.02 грн |
| 1000+ | 15.35 грн |
| 3000+ | 14.35 грн |
| NTMFS5C468NLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 25.81 грн |
| NTMFS5C468NLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 28.61 грн |
| 32+ | 23.68 грн |
| 100+ | 19.61 грн |
| 250+ | 17.81 грн |
| 500+ | 15.13 грн |
| 1000+ | 14.73 грн |
| 3000+ | 14.35 грн |
| NTMFS5C468NLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 23702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 34.41 грн |
| 13+ | 23.42 грн |
| 100+ | 17.86 грн |
| 500+ | 15.24 грн |
| NTMFS5C468NLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
на замовлення 31736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTMFS5C468NLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8
MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8
на замовлення 19997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTMFS5C468NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C468NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 37 A, 0.0086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS5C468NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 37 A, 0.0086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTMFS5C468NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C468NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 37 A, 0.0086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS5C468NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 37 A, 0.0086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTMFS5C468NLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





