
NTMFS5C468NLT1G ON Semiconductor
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 12.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5C468NLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS5C468NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 37 A, 0.0086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTMFS5C468NLT1G за ціною від 9.74 грн до 44.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMFS5C468NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 31500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C468NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 328500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C468NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C468NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C468NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C468NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C468NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C468NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C468NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V |
на замовлення 23702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C468NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C468NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 25127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C468NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 31736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
NTMFS5C468NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C468NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C468NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
NTMFS5C468NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |