NTMFS5C604NLT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 92.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5C604NLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS5C604NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 276A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTMFS5C604NLT1G за ціною від 84.96 грн до 260.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 38A 5DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C604NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 276A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 203A Power dissipation: 100W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 837 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 38A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V |
на замовлення 4829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C604NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 276A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO |
на замовлення 9345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NTMFS5C604NLT1G | Виробник : On Semiconductor |
MOSFET N-CH 60V 38A 5DFN Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |