NTMFS5C604NLT1G ON Semiconductor
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 193.4 грн |
| 10+ | 110.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5C604NLT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 38A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTMFS5C604NLT1G за ціною від 102.81 грн до 226.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 38A 5DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO |
на замовлення 10447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 203A Power dissipation: 100W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 38A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C604NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 203A Power dissipation: 100W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |