NTMFS5C612NT1G-TE ON Semiconductor
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 258.37 грн |
| 10+ | 238.02 грн |
| 25+ | 235.76 грн |
| 50+ | 225.02 грн |
| 100+ | 187.50 грн |
| 250+ | 178.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5C612NT1G-TE ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 0.0014 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 230A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFS5C612NT1G-TE за ціною від 170.78 грн до 466.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS5C612NT1G-TE | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTMFS5C612NT1G-TE | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 0.0014 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTMFS5C612NT1G-TE | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V |
на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFS5C612NT1G-TE | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 0.0014 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NTMFS5C612NT1G-TE | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
NTMFS5C612NT1G-TE | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
NTMFS5C612NT1G-TE | Виробник : onsemi |
MOSFET NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO |
товару немає в наявності |