Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTMFS5C612NT1G
NTMFS5C612NT1G

NTMFS5C612NT1G ON Semiconductor

ntmfs5c612n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
365+83.49 грн
500+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS5C612NT1G ON Semiconductor

Description: NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTMFS5C612NT1G за ціною від 84.40 грн до 227.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS5C612NT1G NTMFS5C612NT1G Виробник : onsemi NTMFS5C612N_D-2488155.pdf MOSFETs Single N-Channel Power Mosfet 60V, 230A, 1.6mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.92 грн
10+171.33 грн
100+118.16 грн
250+109.35 грн
500+99.08 грн
1000+84.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C612NT1G NTMFS5C612NT1G Виробник : onsemi ntmfs5c612n-d.pdf Description: NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.05 грн
10+139.52 грн
100+107.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C612NT1G NTMFS5C612NT1G Виробник : ONSEMI NTMFS5C612N-D.PDF Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C612NT1G NTMFS5C612NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c612n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C612NT1G NTMFS5C612NT1G Виробник : onsemi ntmfs5c612n-d.pdf Description: NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.