Інші пропозиції NTMFS5C628NLT1G за ціною від 32.56 грн до 143.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 60V 5DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 56W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 862 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2400 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
на замовлення 3792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs TRENCH 6 60V NFET |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2400 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |