NTMFS5C628NLT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 37.05 грн |
| 3000+ | 33.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5C628NLT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2400 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTMFS5C628NLT1G за ціною від 30.34 грн до 126.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 56W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2400 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 900A; 56W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 56W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs TRENCH 6 60V NFET |
на замовлення 6307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 2400 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
на замовлення 3186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS5C628NLT1G Код товару: 178871
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C628NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |