Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTMFS5C645NT1G
NTMFS5C645NT1G

NTMFS5C645NT1G ON Semiconductor

ntmfs5c645n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+164.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS5C645NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMFS5C645NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 94 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 94A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMFS5C645NT1G за ціною від 92.67 грн до 271.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS5C645NT1G NTMFS5C645NT1G onsemi ntmfs5c645n-d.pdf Description: 60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.71 грн
10+171.67 грн
100+120.57 грн
500+92.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C645NT1G NTMFS5C645NT1G onsemi NTMFS5C645N_D-2905920.pdf MOSFET Single N-Channel Power Mosfet 60V, 94A, 4.5mohm
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C645NT1G NTMFS5C645NT1G ONSEMI 3672851.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C645NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 94 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C645NT1G NTMFS5C645NT1G ONSEMI 3672851.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C645NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 94 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C645NT1G ntmfs5c645n-d.pdf
NTMFS5C645NT1G
Виробник: onsemi
Description: 60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.71 грн
10+171.67 грн
100+120.57 грн
500+92.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C645NT1G NTMFS5C645N_D-2905920.pdf
NTMFS5C645NT1G
Виробник: onsemi
MOSFET Single N-Channel Power Mosfet 60V, 94A, 4.5mohm
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C645NT1G 3672851.pdf
NTMFS5C645NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C645NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 94 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C645NT1G 3672851.pdf
NTMFS5C645NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C645NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 94 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.