Продукція > ONSEMI > NTMFS5C646NLT1G
NTMFS5C646NLT1G

NTMFS5C646NLT1G onsemi

ntmfs5c646nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+75.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS5C646NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTMFS5C646NLT1G за ціною від 74.12 грн до 210.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS5C646NLT1G NTMFS5C646NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c646nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+97.01 грн
10+87.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G NTMFS5C646NLT1G Виробник : ONSEMI 2160778.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+145.72 грн
200+100.91 грн
500+75.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G NTMFS5C646NLT1G Виробник : onsemi ntmfs5c646nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.71 грн
10+133.79 грн
100+99.26 грн
500+76.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G NTMFS5C646NLT1G Виробник : ONSEMI 2160778.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+204.18 грн
10+146.55 грн
50+145.72 грн
200+100.91 грн
500+75.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G NTMFS5C646NLT1G Виробник : onsemi NTMFS5C646NL_D-2318952.pdf MOSFETs NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH
на замовлення 7581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.63 грн
10+146.86 грн
100+94.67 грн
250+93.21 грн
500+80.73 грн
1500+74.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G NTMFS5C646NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c646nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G NTMFS5C646NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c646nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G NTMFS5C646NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c646nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G Виробник : ONSEMI ntmfs5c646nl-d.pdf NTMFS5C646NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.