Продукція > ONSEMI > NTMFS5C646NLT1G
NTMFS5C646NLT1G

NTMFS5C646NLT1G onsemi

ntmfs5c646nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+78.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS5C646NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 3.1W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm.

Інші пропозиції NTMFS5C646NLT1G за ціною від 75.99 грн до 260.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS5C646NLT1G NTMFS5C646NLT1G ON Semiconductor ntmfs5c646nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.72 грн
10+113.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G NTMFS5C646NLT1G onsemi NTMFS5C646NL_D-2318952.pdf MOSFETs NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH
на замовлення 7581 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+215.93 грн
10+150.55 грн
100+97.05 грн
250+95.55 грн
500+82.76 грн
1500+75.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G NTMFS5C646NLT1G onsemi ntmfs5c646nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.27 грн
10+163.75 грн
50+126.19 грн
100+107.08 грн
500+87.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G NTMFS5C646NLT1G ONSEMI 2160778.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G NTMFS5C646NLT1G ON Semiconductor ntmfs5c646nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G NTMFS5C646NLT1G ONSEMI 2160778.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G ntmfs5c646nl-d.pdf
NTMFS5C646NLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+125.72 грн
10+113.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G NTMFS5C646NL_D-2318952.pdf
NTMFS5C646NLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH
на замовлення 7581 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.93 грн
10+150.55 грн
100+97.05 грн
250+95.55 грн
500+82.76 грн
1500+75.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G ntmfs5c646nl-d.pdf
NTMFS5C646NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 19A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 25 V
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.27 грн
10+163.75 грн
50+126.19 грн
100+107.08 грн
500+87.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G 2160778.pdf
NTMFS5C646NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G ntmfs5c646nl-d.pdf
NTMFS5C646NLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NLT1G 2160778.pdf
NTMFS5C646NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C646NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 19 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.