Продукція > ONSEMI > NTMFS5C646NT1G
NTMFS5C646NT1G

NTMFS5C646NT1G onsemi

ntmfs5c646n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+23.43 грн
3000+20.71 грн
4500+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS5C646NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V.

Інші пропозиції NTMFS5C646NT1G за ціною від 34.70 грн до 115.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS5C646NT1G NTMFS5C646NT1G Виробник : onsemi ntmfs5c646n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
на замовлення 5668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.39 грн
10+70.35 грн
100+47.00 грн
500+34.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C646NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5c646n-d.pdf NTMFS5C646NT1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.