NTMFS5C670NLT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 29310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 19.01 грн |
| 3000+ | 15.42 грн |
| 4500+ | 15.04 грн |
| 7500+ | 13.70 грн |
| 10500+ | 13.22 грн |
| 15000+ | 12.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5C670NLT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS5C670NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.0061 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 61W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTMFS5C670NLT1G за ціною від 17.13 грн до 227.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 70500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 70500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C670NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.0061 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 29372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C670NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.0061 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 68A, 6.7mohm Power MOSFET 60 V, 6.7 m?, 68 A, Single N-Channel |
на замовлення 60097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 1.8W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G транзистор Код товару: 196929
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > ВЧ |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 1.8W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 157 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|


