
NTMFS5C670NLT1G ON Semiconductor
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 21.86 грн |
3000+ | 16.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5C670NLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS5C670NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 0.0051 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 61W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTMFS5C670NLT1G за ціною від 20.15 грн до 219.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 70500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 94569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 70500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 94987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 60097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6 Case: DFN5x6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 440A Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A On-state resistance: 8.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NTMFS5C670NLT1G транзистор Код товару: 196929
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > ВЧ |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C670NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6 Case: DFN5x6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 440A Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A On-state resistance: 8.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 171 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|