
NTMFS5C673NLT1G ON Semiconductor
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 20.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5C673NLT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTMFS5C673NLT1G за ціною від 16.36 грн до 64.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMFS5C673NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C673NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C673NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C673NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C673NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C673NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 56321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C673NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C673NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C673NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 23W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 23W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C673NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NTMFS5C673NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 23W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Power dissipation: 23W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |