Продукція > ONSEMI > NTMFS5C682NLT1G

NTMFS5C682NLT1G onsemi


ntmfs5c682nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 25A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+92.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS5C682NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 25A 5DFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA, Power Dissipation (Max): 28W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTMFS5C682NLT1G за ціною від 99.02 грн до 195.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMFS5C682NLT1G NTMFS5C682NLT1G onsemi ntmfs5c682nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.85 грн
10+156.61 грн
100+124.70 грн
500+99.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C682NLT1G NTMFS5C682NLT1G ON Semiconductor NTMFS5C682NL_D-2319318.pdf MOSFET TRENCH 6 60V NFET
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C682NLT1G ON Semiconductor ntmfs5c682nl-d.pdf
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C682NLT1G ntmfs5c682nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 25A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+195.85 грн
10+156.61 грн
100+124.70 грн
500+99.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C682NLT1G NTMFS5C682NL_D-2319318.pdf
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C682NLT1G ntmfs5c682nl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.