NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor
Виробник: ON SemiconductorNTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 80.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції NTMFS5H414NLT1G за ціною від 86.38 грн до 422.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS5H414NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS5H414NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 71990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5H414NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 71990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5H414NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5H414NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com |
на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5H414NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS5H414NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 35A/210A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 20 V |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS5H414NLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET T8 40V LOW COSS POWER MOSFET |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS5H414NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 35A/210A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |