NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor
Виробник: ON Semiconductor
NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції NTMFS5H414NLT1G за ціною від 100.15 грн до 388.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMFS5H414NLT1G | ON Semiconductor |
NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS5H414NLT1G | ON Semiconductor |
NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS5H414NLT1G | ON Semiconductor |
NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com |
на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS5H414NLT1G | ON Semiconductor |
NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS5H414NLT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 35A/210A 5DFNInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 210A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
NTMFS5H414NLT1G | onsemi |
MOSFET T8 40V LOW COSS POWER MOSFET |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTMFS5H414NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 71990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTMFS5H414NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 71990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTMFS5H414NLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 141+ | 100.15 грн |
| NTMFS5H414NLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 319.87 грн |
| 500+ | 305.76 грн |
| 1000+ | 289.30 грн |
| NTMFS5H414NLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 319.87 грн |
| 500+ | 305.76 грн |
| 1000+ | 289.30 грн |
| NTMFS5H414NLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 319.87 грн |
| 500+ | 305.76 грн |
| 1000+ | 289.30 грн |
| NTMFS5H414NLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 35A/210A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 210A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 40V 35A/210A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 210A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 388.14 грн |
| 10+ | 313.53 грн |
| 100+ | 253.64 грн |
| 500+ | 211.59 грн |
| NTMFS5H414NLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFET T8 40V LOW COSS POWER MOSFET
MOSFET T8 40V LOW COSS POWER MOSFET
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTMFS5H414NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 71990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTMFS5H414NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 71990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




