Продукція > ONSEMI > NTMFS5H600NLT1G
NTMFS5H600NLT1G

NTMFS5H600NLT1G onsemi

ntmfs5h600nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+102.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS5H600NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMFS5H600NLT1G за ціною від 91.76 грн до 277.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G Виробник : onsemi 288B4E15FD7B570DAF92B125EB7441ED993D63314618CE91A53D1BB154EB1535.pdf MOSFETs T8 60V LOW COSS
на замовлення 10054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.26 грн
10+148.28 грн
100+100.46 грн
500+98.88 грн
1000+94.92 грн
1500+91.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5h600nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+206.21 грн
80+158.56 грн
100+123.00 грн
250+112.76 грн
500+104.27 грн
1000+100.21 грн
3000+96.23 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5h600nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+220.93 грн
10+171.52 грн
25+169.89 грн
100+131.79 грн
250+120.81 грн
500+111.72 грн
1000+107.37 грн
3000+103.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G Виробник : ONSEMI ntmfs5h600nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+223.61 грн
10+171.26 грн
100+136.65 грн
500+116.18 грн
1000+104.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G Виробник : onsemi ntmfs5h600nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.23 грн
10+185.31 грн
100+131.28 грн
500+100.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5h600nl-d.pdf
на замовлення 91837 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5h600nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5h600nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.