NTMFS5H600NLT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 87.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5H600NLT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTMFS5H600NLT1G за ціною від 89.25 грн до 270.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS5H600NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTMFS5H600NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 4499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTMFS5H600NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 4499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTMFS5H600NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V |
на замовлення 2277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTMFS5H600NLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs T8 60V LOW COSS |
на замовлення 8882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| NTMFS5H600NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 91837 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
NTMFS5H600NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| NTMFS5H600NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250A; Idm: 900A; 63W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 63W Case: DFN5 Mounting: SMD Gate charge: 89nC Kind of package: reel; tape On-state resistance: 1.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 250A Pulsed drain current: 900A Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |