Продукція > ONSEMI > NTMFS5H600NLT1G
NTMFS5H600NLT1G

NTMFS5H600NLT1G onsemi

ntmfs5h600nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+85.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS5H600NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMFS5H600NLT1G за ціною від 94.45 грн до 254.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G ON Semiconductor ntmfs5h600nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.62 грн
10+177.49 грн
25+175.80 грн
100+136.38 грн
250+125.02 грн
500+115.60 грн
1000+111.11 грн
3000+106.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G ON Semiconductor ntmfs5h600nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+228.62 грн
80+175.80 грн
100+136.38 грн
250+125.02 грн
500+115.60 грн
1000+111.11 грн
3000+106.69 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G onsemi ntmfs5h600nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.78 грн
10+161.07 грн
100+113.02 грн
500+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G onsemi ntmfs5h600nl-d.pdf MOSFETs T8 60V LOW COSS
на замовлення 8388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G ONSEMI ntmfs5h600nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G ON Semiconductor ntmfs5h600nl-d.pdf
на замовлення 91837 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G ntmfs5h600nl-d.pdf
NTMFS5H600NLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+228.62 грн
10+177.49 грн
25+175.80 грн
100+136.38 грн
250+125.02 грн
500+115.60 грн
1000+111.11 грн
3000+106.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G ntmfs5h600nl-d.pdf
NTMFS5H600NLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+228.62 грн
80+175.80 грн
100+136.38 грн
250+125.02 грн
500+115.60 грн
1000+111.11 грн
3000+106.69 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G ntmfs5h600nl-d.pdf
NTMFS5H600NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.78 грн
10+161.07 грн
100+113.02 грн
500+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G ntmfs5h600nl-d.pdf
NTMFS5H600NLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 60V LOW COSS
на замовлення 8388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G ntmfs5h600nl-d.pdf
NTMFS5H600NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G ntmfs5h600nl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 91837 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.