Продукція > ONSEMI > NTMFS5H600NLT1G
NTMFS5H600NLT1G

NTMFS5H600NLT1G onsemi

ntmfs5h600nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+86.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS5H600NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMFS5H600NLT1G за ціною від 89.30 грн до 268.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G Виробник : ONSEMI ntmfs5h600nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+203.53 грн
10+155.88 грн
100+124.38 грн
500+105.74 грн
1000+94.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5h600nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+210.99 грн
80+162.24 грн
100+125.86 грн
250+115.38 грн
500+106.69 грн
1000+102.54 грн
3000+98.46 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5h600nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.06 грн
10+175.50 грн
25+173.83 грн
100+134.85 грн
250+123.62 грн
500+114.31 грн
1000+109.86 грн
3000+105.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G Виробник : onsemi ntmfs5h600nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.78 грн
10+162.97 грн
100+114.35 грн
500+95.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G Виробник : onsemi ntmfs5h600nl-d.pdf MOSFETs T8 60V LOW COSS
на замовлення 9197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.95 грн
10+173.55 грн
100+97.61 грн
500+89.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5h600nl-d.pdf
на замовлення 91837 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs5h600nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G Виробник : ONSEMI ntmfs5h600nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250A; Idm: 900A; 63W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Case: DFN5
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 1.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 250A
Pulsed drain current: 900A
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.