NTMFS5H630NLT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 44.95 грн |
| 3000+ | 40.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5H630NLT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V.
Інші пропозиції NTMFS5H630NLT1G за ціною від 41.12 грн до 158.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS5H630NLT1G | onsemi |
MOSFETs T8 60V LOW COSS |
на замовлення 2304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NTMFS5H630NLT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V |
на замовлення 215177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| NTMFS5H630NLT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1109 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMFS5H630NLT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 60V LOW COSS
MOSFETs T8 60V LOW COSS
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.42 грн |
| 10+ | 91.89 грн |
| 100+ | 56.34 грн |
| 500+ | 45.94 грн |
| 1500+ | 41.12 грн |
| NTMFS5H630NLT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V
на замовлення 215177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 158.08 грн |
| 10+ | 97.45 грн |
| 100+ | 66.19 грн |
| 500+ | 49.56 грн |
| NTMFS5H630NLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)