NTMFS5H630NLT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 45.38 грн |
| 3000+ | 40.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5H630NLT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V.
Інші пропозиції NTMFS5H630NLT1G за ціною від 39.97 грн до 159.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS5H630NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 490500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFS5H630NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFS5H630NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTMFS5H630NLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs T8 60V LOW COSS |
на замовлення 2304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFS5H630NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V |
на замовлення 215177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NTMFS5H630NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1109 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
NTMFS5H630NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NTMFS5H630NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 748A; 36W; DFN5 Power dissipation: 36W Mounting: SMD Case: DFN5 Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC On-state resistance: 3.1mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Pulsed drain current: 748A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |