
NTMFS5H630NLT1G ON Semiconductor
на замовлення 490500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 41.10 грн |
246000+ | 37.55 грн |
369000+ | 34.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS5H630NLT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V.
Інші пропозиції NTMFS5H630NLT1G за ціною від 43.92 грн до 146.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMFS5H630NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTMFS5H630NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTMFS5H630NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V |
на замовлення 1316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTMFS5H630NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTMFS5H630NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1109 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
NTMFS5H630NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
NTMFS5H630NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
NTMFS5H630NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
NTMFS5H630NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |