Продукція > ONSEMI > NTMFS6D1N08HT1G
NTMFS6D1N08HT1G

NTMFS6D1N08HT1G ONSEMI

2711427.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6D1N08HT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+77.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS6D1N08HT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS6D1N08HT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTMFS6D1N08HT1G за ціною від 37.39 грн до 126.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFS6D1N08HT1G NTMFS6D1N08HT1G Виробник : onsemi NTMFS6D1N08H_D-2319176.pdf MOSFET T8 80V 1 PART PROLI FERATI
на замовлення 7309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.82 грн
10+ 83.69 грн
100+ 58.68 грн
500+ 51.14 грн
1000+ 41.66 грн
1500+ 39.26 грн
3000+ 37.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS6D1N08HT1G NTMFS6D1N08HT1G Виробник : onsemi ntmfs6d1n08h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.27 грн
10+ 99.86 грн
100+ 77.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS6D1N08HT1G NTMFS6D1N08HT1G Виробник : ONSEMI 2711427.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6D1N08HT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+126.57 грн
10+ 104.1 грн
100+ 77.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTMFS6D1N08HT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6d1n08h-d.pdf
на замовлення 880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS6D1N08HT1G NTMFS6D1N08HT1G Виробник : onsemi ntmfs6d1n08h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
товар відсутній