NTMFS6D1N08HT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 216+ | 65.44 грн |
| 218+ | 64.78 грн |
| 247+ | 57.14 грн |
| 250+ | 54.68 грн |
| 500+ | 50.06 грн |
| 1000+ | 47.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS6D1N08HT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS6D1N08HT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 4500 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTMFS6D1N08HT1G за ціною від 47.53 грн до 143.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS6D1N08HT1G | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 80V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS6D1N08HT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS6D1N08HT1G | onsemi |
MOSFETs T8 80V 1 PART PROLI FERATI |
на замовлення 4095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
NTMFS6D1N08HT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS6D1N08HT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 4500 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
NTMFS6D1N08HT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS6D1N08HT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 4500 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NTMFS6D1N08HT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMFS6D1N08HT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 75.01 грн |
| 12+ | 65.44 грн |
| 25+ | 64.78 грн |
| 100+ | 55.10 грн |
| 250+ | 50.63 грн |
| 500+ | 48.06 грн |
| 1000+ | 47.53 грн |
| NTMFS6D1N08HT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 143.04 грн |
| 10+ | 87.86 грн |
| 100+ | 59.53 грн |
| NTMFS6D1N08HT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V 1 PART PROLI FERATI
MOSFETs T8 80V 1 PART PROLI FERATI
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTMFS6D1N08HT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6D1N08HT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 4500 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS6D1N08HT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 4500 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTMFS6D1N08HT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6D1N08HT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 4500 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTMFS6D1N08HT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 4500 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTMFS6D1N08HT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)