Продукція > ONSEMI > NTMFS6D1N08HT1G
NTMFS6D1N08HT1G

NTMFS6D1N08HT1G ONSEMI

2711427.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6D1N08HT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.83 грн
500+43.99 грн
1000+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS6D1N08HT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS6D1N08HT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMFS6D1N08HT1G за ціною від 38.40 грн до 118.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS6D1N08HT1G NTMFS6D1N08HT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6d1n08h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+57.40 грн
218+56.82 грн
247+50.12 грн
250+47.96 грн
500+43.91 грн
1000+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6D1N08HT1G NTMFS6D1N08HT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6d1n08h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+70.49 грн
12+61.50 грн
25+60.88 грн
100+51.78 грн
250+47.58 грн
500+45.16 грн
1000+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6D1N08HT1G NTMFS6D1N08HT1G Виробник : ONSEMI 2711427.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6D1N08HT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+77.44 грн
14+64.59 грн
100+54.83 грн
500+43.99 грн
1000+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6D1N08HT1G NTMFS6D1N08HT1G Виробник : onsemi ntmfs6d1n08h-d.pdf MOSFETs T8 80V 1 PART PROLI FERATI
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.57 грн
10+74.39 грн
25+64.23 грн
100+51.24 грн
250+51.09 грн
500+45.51 грн
1000+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6D1N08HT1G NTMFS6D1N08HT1G Виробник : onsemi ntmfs6d1n08h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.13 грн
10+93.31 грн
100+72.60 грн
500+57.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6D1N08HT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6d1n08h-d.pdf
на замовлення 880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6D1N08HT1G NTMFS6D1N08HT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6d1n08h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6D1N08HT1G NTMFS6D1N08HT1G Виробник : onsemi ntmfs6d1n08h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.