NTMFS6H800NLT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 85.38 грн |
| 3000+ | 81.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS6H800NLT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V.
Інші пропозиції NTMFS6H800NLT1G за ціною від 89.31 грн до 299.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMFS6H800NLT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTMFS6H800NLT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V |
на замовлення 3635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NTMFS6H800NLT1G | onsemi |
MOSFETs 80V 224A 1.8mOhm Single N-Channel |
на замовлення 2443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| NTMFS6H800NLT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 8425 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMFS6H800NLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 233+ | 151.70 грн |
| 500+ | 143.47 грн |
| 1000+ | 136.42 грн |
| 10000+ | 123.61 грн |
| NTMFS6H800NLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 255.55 грн |
| 10+ | 161.21 грн |
| 100+ | 112.88 грн |
| 500+ | 93.54 грн |
| NTMFS6H800NLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V 224A 1.8mOhm Single N-Channel
MOSFETs 80V 224A 1.8mOhm Single N-Channel
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 299.47 грн |
| 10+ | 193.29 грн |
| 100+ | 123.77 грн |
| 500+ | 104.08 грн |
| 1000+ | 89.31 грн |
| NTMFS6H800NLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 8425 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



