NTMFS6H801NLT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5126 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 67.73 грн |
| 3000+ | 63.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS6H801NLT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 160A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5126 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NTMFS6H801NLT1G за ціною від 63.58 грн до 210.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS6H801NLT1G | onsemi |
MOSFET T8 80V LL SO8FL |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NTMFS6H801NLT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5126 pF @ 40 V |
на замовлення 44138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NTMFS6H801NLT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 862 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMFS6H801NLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFET T8 80V LL SO8FL
MOSFET T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 169.56 грн |
| 10+ | 139.41 грн |
| 100+ | 96.43 грн |
| 500+ | 81.97 грн |
| 1500+ | 68.54 грн |
| 3000+ | 63.58 грн |
| NTMFS6H801NLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5126 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5126 pF @ 40 V
на замовлення 44138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 210.00 грн |
| 10+ | 131.33 грн |
| 100+ | 90.96 грн |
| 500+ | 69.11 грн |
| NTMFS6H801NLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 862 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


