Продукція > ONSEMI > NTMFS6H801NLT1G
NTMFS6H801NLT1G

NTMFS6H801NLT1G onsemi

ntmfs6h801nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5126 pF @ 40 V
на замовлення 43500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+72.55 грн
3000+68.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS6H801NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5126 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NTMFS6H801NLT1G за ціною від 70.82 грн до 224.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS6H801NLT1G NTMFS6H801NLT1G Виробник : onsemi NTMFS6H801NL_D-2319091.pdf MOSFET T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.88 грн
10+155.30 грн
100+107.42 грн
500+91.31 грн
1500+76.35 грн
3000+70.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NLT1G NTMFS6H801NLT1G Виробник : onsemi ntmfs6h801nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5126 pF @ 40 V
на замовлення 44138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.93 грн
10+140.67 грн
100+97.42 грн
500+74.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6h801nl-d.pdf
на замовлення 862 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6h801nl-d.pdf MOSFET Power, Single N Channel, 80 V, 2.7 m, 160 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6h801nl-d.pdf MOSFET Power, Single N Channel, 80 V, 2.7 m, 160 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NLT1G Виробник : ONSEMI ntmfs6h801nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 900A; 83W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 83W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.