
NTMFS6H801NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5126 pF @ 40 V
на замовлення 43500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 69.39 грн |
3000+ | 65.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS6H801NLT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5126 pF @ 40 V.
Інші пропозиції NTMFS6H801NLT1G за ціною від 67.74 грн до 215.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMFS6H801NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS6H801NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5126 pF @ 40 V |
на замовлення 44138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NTMFS6H801NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 862 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
NTMFS6H801NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
NTMFS6H801NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
NTMFS6H801NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |