Продукція > ONSEMI > NTMFS6H801NT1G
NTMFS6H801NT1G

NTMFS6H801NT1G onsemi

ntmfs6h801n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+70.79 грн
3000+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS6H801NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 157A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMFS6H801NT1G за ціною від 72.20 грн до 219.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS6H801NT1G NTMFS6H801NT1G ON Semiconductor ntmfs6h801n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+83.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G NTMFS6H801NT1G ON Semiconductor ntmfs6h801n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+83.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G NTMFS6H801NT1G ON Semiconductor ntmfs6h801n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.54 грн
10+111.75 грн
25+110.63 грн
100+91.69 грн
250+84.04 грн
500+79.32 грн
1000+77.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G NTMFS6H801NT1G ON Semiconductor ntmfs6h801n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+132.54 грн
126+111.75 грн
127+110.63 грн
148+91.69 грн
250+84.04 грн
500+79.32 грн
1000+77.96 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G NTMFS6H801NT1G onsemi ntmfs6h801n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.37 грн
10+137.27 грн
100+95.01 грн
500+72.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G NTMFS6H801NT1G onsemi NTMFS6H801N_D-2319319.pdf MOSFETs TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
на замовлення 8288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G NTMFS6H801NT1G ONSEMI 2571960.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G NTMFS6H801NT1G ONSEMI 2571960.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G ntmfs6h801n-d.pdf
NTMFS6H801NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+83.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G ntmfs6h801n-d.pdf
NTMFS6H801NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+83.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G ntmfs6h801n-d.pdf
NTMFS6H801NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+132.54 грн
10+111.75 грн
25+110.63 грн
100+91.69 грн
250+84.04 грн
500+79.32 грн
1000+77.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G ntmfs6h801n-d.pdf
NTMFS6H801NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
106+132.54 грн
126+111.75 грн
127+110.63 грн
148+91.69 грн
250+84.04 грн
500+79.32 грн
1000+77.96 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G ntmfs6h801n-d.pdf
NTMFS6H801NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+219.37 грн
10+137.27 грн
100+95.01 грн
500+72.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G NTMFS6H801N_D-2319319.pdf
NTMFS6H801NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
на замовлення 8288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G 2571960.pdf
NTMFS6H801NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G 2571960.pdf
NTMFS6H801NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.