Продукція > ONSEMI > NTMFS6H818NLT1G
NTMFS6H818NLT1G

NTMFS6H818NLT1G onsemi

ntmfs6h818nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+58.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS6H818NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NTMFS6H818NLT1G за ціною від 57.16 грн до 186.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS6H818NLT1G NTMFS6H818NLT1G Виробник : onsemi ntmfs6h818nl-d.pdf MOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 7340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.46 грн
10+123.54 грн
100+76.58 грн
500+67.22 грн
1000+62.07 грн
1500+57.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NLT1G NTMFS6H818NLT1G Виробник : onsemi ntmfs6h818nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.75 грн
10+115.73 грн
100+79.34 грн
500+59.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6h818nl-d.pdf
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6h818nl-d.pdf MOSFET Power, Single, N Channel, 80 V, 3.2m 135 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.