NTMFS6H818NLT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 57.03 грн |
| 3000+ | 53.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS6H818NLT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V.
Інші пропозиції NTMFS6H818NLT1G за ціною від 55.44 грн до 170.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS6H818NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V |
на замовлення 30950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS6H818NLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs T8 80V LL SO8FL |
на замовлення 7340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTMFS6H818NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| NTMFS6H818NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET Power, Single, N Channel, 80 V, 3.2m 135 A |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| NTMFS6H818NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 135A; Idm: 772A; 70W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 135A Pulsed drain current: 772A Power dissipation: 70W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| NTMFS6H818NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 135A; Idm: 772A; 70W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 135A Pulsed drain current: 772A Power dissipation: 70W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |