NTMFS6H818NT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 83.81 грн |
| 500+ | 63.26 грн |
| 1000+ | 58.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS6H818NT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 123A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFS6H818NT1G за ціною від 53.87 грн до 179.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS6H818NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
NTMFS6H818NT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS6H818NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
NTMFS6H818NT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS6H818NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS6H818NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS6H818NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS6H818NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
NTMFS6H818NT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NTMFS6H818NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS6H818NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTMFS6H818NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 900A; 68W; DFN5 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 3.7mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 68W Drain-source voltage: 80V Drain current: 123A Pulsed drain current: 900A Gate charge: 46nC Case: DFN5 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |