Продукція > ONSEMI > NTMFS6H818NT1G
NTMFS6H818NT1G

NTMFS6H818NT1G ONSEMI

ONSM-S-A0013579420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.13 грн
500+61.23 грн
1000+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS6H818NT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 123A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFS6H818NT1G за ціною від 49.55 грн до 164.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS6H818NT1G NTMFS6H818NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6h818n-d.pdf NTMFS6H818NT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+123.70 грн
10+105.08 грн
25+104.04 грн
100+78.32 грн
250+71.79 грн
500+56.84 грн
1000+49.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1G NTMFS6H818NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6h818n-d.pdf NTMFS6H818NT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+133.22 грн
108+113.17 грн
109+112.04 грн
140+84.34 грн
250+77.32 грн
500+61.21 грн
1000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1G NTMFS6H818NT1G Виробник : onsemi NTMFS6H818N_D-2319320.pdf MOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.48 грн
10+134.52 грн
500+112.56 грн
3000+54.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1G NTMFS6H818NT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013579420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+164.23 грн
10+112.24 грн
100+81.13 грн
500+61.23 грн
1000+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1G NTMFS6H818NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6h818n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1G NTMFS6H818NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6h818n-d.pdf NTMFS6H818NT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1G Виробник : ONSEMI ntmfs6h818n-d.pdf NTMFS6H818NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1G NTMFS6H818NT1G Виробник : onsemi ntmfs6h818n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1G NTMFS6H818NT1G Виробник : onsemi ntmfs6h818n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.