Продукція > ONSEMI > NTMFS6H824NLT1G
NTMFS6H824NLT1G

NTMFS6H824NLT1G onsemi

ntmfs6h824nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: T8 80V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS6H824NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS6H824NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 4000 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 116W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMFS6H824NLT1G за ціною від 48.55 грн до 154.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS6H824NLT1G NTMFS6H824NLT1G onsemi ntmfs6h824nl-d.pdf Description: T8 80V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.07 грн
10+95.19 грн
100+64.75 грн
500+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NLT1G NTMFS6H824NLT1G onsemi ntmfs6h824nl-d.pdf MOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NLT1G NTMFS6H824NLT1G ONSEMI 4073636.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H824NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 4000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NLT1G NTMFS6H824NLT1G ONSEMI 4073636.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H824NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 4000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NLT1G ON Semiconductor ntmfs6h824nl-d.pdf
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NLT1G ntmfs6h824nl-d.pdf
NTMFS6H824NLT1G
Виробник: onsemi
Description: T8 80V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.07 грн
10+95.19 грн
100+64.75 грн
500+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NLT1G ntmfs6h824nl-d.pdf
NTMFS6H824NLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NLT1G 4073636.pdf
NTMFS6H824NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H824NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 4000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NLT1G 4073636.pdf
NTMFS6H824NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H824NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 4000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NLT1G ntmfs6h824nl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.