Продукція > ONSEMI > NTMFS6H824NT1G
NTMFS6H824NT1G

NTMFS6H824NT1G onsemi

ntmfs6h824n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: T8 80V U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+56.55 грн
3000+51.73 грн
7500+49.78 грн
10500+45.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS6H824NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 115W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm.

Інші пропозиції NTMFS6H824NT1G за ціною від 57.13 грн до 119.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G ON Semiconductor ntmfs6h824n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.57 грн
167+84.62 грн
168+84.19 грн
193+70.83 грн
250+65.18 грн
500+57.17 грн
1000+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G ON Semiconductor ntmfs6h824n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.22 грн
10+86.57 грн
25+84.62 грн
50+81.19 грн
100+65.58 грн
250+62.57 грн
500+57.17 грн
1000+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G ON Semiconductor ntmfs6h824n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G onsemi ntmfs6h824n-d.pdf Description: T8 80V U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
на замовлення 37470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.07 грн
10+95.30 грн
100+75.85 грн
500+60.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G ONSEMI ntmfs6h824n-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G onsemi NTMFS6H824N_D-2905899.pdf MOSFET Power MOSFET, Single N-Channel, 80V, 103A, 4.5mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G ONSEMI ntmfs6h824n-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G ntmfs6h824n-d.pdf
NTMFS6H824NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 19A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
164+86.57 грн
167+84.62 грн
168+84.19 грн
193+70.83 грн
250+65.18 грн
500+57.17 грн
1000+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G ntmfs6h824n-d.pdf
NTMFS6H824NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 19A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+98.22 грн
10+86.57 грн
25+84.62 грн
50+81.19 грн
100+65.58 грн
250+62.57 грн
500+57.17 грн
1000+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G ntmfs6h824n-d.pdf
NTMFS6H824NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 19A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G ntmfs6h824n-d.pdf
NTMFS6H824NT1G
Виробник: onsemi
Description: T8 80V U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
на замовлення 37470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.07 грн
10+95.30 грн
100+75.85 грн
500+60.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G ntmfs6h824n-d.pdf
NTMFS6H824NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824N_D-2905899.pdf
NTMFS6H824NT1G
Виробник: onsemi
MOSFET Power MOSFET, Single N-Channel, 80V, 103A, 4.5mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G ntmfs6h824n-d.pdf
NTMFS6H824NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.