Продукція > ONSEMI > NTMFS6H824NT1G
NTMFS6H824NT1G

NTMFS6H824NT1G onsemi

ntmfs6h824n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: T8 80V U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+57.99 грн
3000+53.05 грн
7500+51.06 грн
10500+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS6H824NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTMFS6H824NT1G за ціною від 47.08 грн до 191.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G ONSEMI ntmfs6h824n-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G onsemi ntmfs6h824n-d.pdf Description: T8 80V U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
на замовлення 37470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.11 грн
10+97.74 грн
100+77.78 грн
500+61.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G onsemi NTMFS6H824N_D-2905899.pdf MOSFET Power MOSFET, Single N-Channel, 80V, 103A, 4.5mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.81 грн
10+101.32 грн
100+70.48 грн
250+65.27 грн
500+59.70 грн
1000+53.64 грн
1500+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824NT1G ONSEMI ntmfs6h824n-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.60 грн
10+114.30 грн
100+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G ntmfs6h824n-d.pdf
NTMFS6H824NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G ntmfs6h824n-d.pdf
NTMFS6H824NT1G
Виробник: onsemi
Description: T8 80V U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
на замовлення 37470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+122.11 грн
10+97.74 грн
100+77.78 грн
500+61.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G NTMFS6H824N_D-2905899.pdf
NTMFS6H824NT1G
Виробник: onsemi
MOSFET Power MOSFET, Single N-Channel, 80V, 103A, 4.5mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+125.81 грн
10+101.32 грн
100+70.48 грн
250+65.27 грн
500+59.70 грн
1000+53.64 грн
1500+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H824NT1G ntmfs6h824n-d.pdf
NTMFS6H824NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 3700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+191.60 грн
10+114.30 грн
100+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.