
NTMFS6H836NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 40.16 грн |
3000+ | 35.80 грн |
4500+ | 34.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS6H836NLT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V.
Інші пропозиції NTMFS6H836NLT1G за ціною від 39.95 грн до 136.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMFS6H836NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 509-518 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTMFS6H836NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V |
на замовлення 5965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTMFS6H836NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
NTMFS6H836NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
NTMFS6H836NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |