Продукція > ONSEMI > NTMFS6H836NLT1G
NTMFS6H836NLT1G

NTMFS6H836NLT1G onsemi

ntmfs6h836nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS6H836NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTMFS6H836NLT1G за ціною від 37.56 грн до 123.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS6H836NLT1G NTMFS6H836NLT1G onsemi ntmfs6h836nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.16 грн
10+75.23 грн
100+50.57 грн
500+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H836NLT1G NTMFS6H836NLT1G onsemi NTMFS6H836NL_D-2319233.pdf MOSFET T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 509-518 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H836NLT1G ntmfs6h836nl-d.pdf
NTMFS6H836NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.16 грн
10+75.23 грн
100+50.57 грн
500+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H836NLT1G NTMFS6H836NL_D-2319233.pdf
NTMFS6H836NLT1G
Виробник: onsemi
MOSFET T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 509-518 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.