Продукція > ONSEMI > NTMFS6H836NT1G
NTMFS6H836NT1G

NTMFS6H836NT1G ONSEMI

2711428.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H836NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0056 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.50 грн
500+44.98 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS6H836NT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS6H836NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0056 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 74A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 89W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFS6H836NT1G за ціною від 38.48 грн до 140.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS6H836NT1G NTMFS6H836NT1G Виробник : onsemi ntmfs6h836n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+66.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H836NT1G NTMFS6H836NT1G Виробник : ONSEMI 2711428.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H836NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.0056 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.94 грн
11+81.04 грн
100+59.50 грн
500+44.98 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H836NT1G NTMFS6H836NT1G Виробник : onsemi NTMFS6H836N_D-1508951.pdf MOSFETs T8 80V SO8FL
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.01 грн
10+87.99 грн
100+53.85 грн
500+43.92 грн
1000+43.85 грн
1500+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H836NT1G NTMFS6H836NT1G Виробник : onsemi ntmfs6h836n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.86 грн
10+112.65 грн
100+89.68 грн
500+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H836NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6h836n-d.pdf
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H836NT1G NTMFS6H836NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6h836n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H836NT1G NTMFS6H836NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6h836n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H836NT1G NTMFS6H836NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs6h836n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 15A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H836NT1G Виробник : ONSEMI ntmfs6h836n-d.pdf NTMFS6H836NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.