
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 102.14 грн |
10+ | 67.68 грн |
25+ | 58.27 грн |
100+ | 40.90 грн |
250+ | 40.68 грн |
500+ | 33.11 грн |
1000+ | 31.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS6H848NLT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 40 V.
Інші пропозиції NTMFS6H848NLT1G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
NTMFS6H848NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
NTMFS6H848NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
NTMFS6H848NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
NTMFS6H848NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
NTMFS6H848NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NTMFS6H848NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |