NTMFS6H852NLT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.82 грн |
| 10+ | 51.89 грн |
| 100+ | 34.25 грн |
| 500+ | 25.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS6H852NLT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V.
Інші пропозиції NTMFS6H852NLT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS6H852NLT1G | onsemi |
MOSFETs T8 80V LL SO8FL |
на замовлення 3921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMFS6H852NLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL SO8FL
MOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 3921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


