Продукція > ONSEMI > NTMFS6H852NT1G
NTMFS6H852NT1G

NTMFS6H852NT1G onsemi

ntmfs6h852n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS6H852NT1G onsemi

Description: TRENCH 8 80V NFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NTMFS6H852NT1G за ціною від 23.01 грн до 95.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS6H852NT1G NTMFS6H852NT1G Виробник : onsemi ntmfs6h852n-d.pdf Description: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.23 грн
10+54.68 грн
100+42.55 грн
500+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H852NT1G NTMFS6H852NT1G Виробник : onsemi NTMFS6H852N-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, Single N-Channel, 80V, 40A, 14.2mohm
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.11 грн
10+61.59 грн
100+39.01 грн
500+31.24 грн
1000+28.57 грн
1500+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.