Продукція > ONSEMI > NTMFS6H858NLT1G
NTMFS6H858NLT1G

NTMFS6H858NLT1G onsemi


ntmfs6h858nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T8 80V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 623 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+24.27 грн
3000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS6H858NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFS6H858NLT1G за ціною від 18.39 грн до 87.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS6H858NLT1G NTMFS6H858NLT1G Виробник : ONSEMI ntmfs6h858nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.19 грн
500+31.19 грн
1000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H858NLT1G NTMFS6H858NLT1G Виробник : ONSEMI ntmfs6h858nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.34 грн
13+64.12 грн
100+40.19 грн
500+31.19 грн
1000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H858NLT1G NTMFS6H858NLT1G Виробник : onsemi NTMFS6H858NL_D-3368582.pdf MOSFETs Power MOSFET 80V, 30A, 19.5 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL.
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.19 грн
10+57.78 грн
100+33.03 грн
500+25.75 грн
1000+25.23 грн
1500+22.00 грн
3000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H858NLT1G NTMFS6H858NLT1G Виробник : onsemi ntmfs6h858nl-d.pdf Description: T8 80V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 623 pF @ 40 V
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.54 грн
10+53.18 грн
100+35.00 грн
500+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.