Продукція > ONSEMI > NTMFS7D8N10GTWG
NTMFS7D8N10GTWG

NTMFS7D8N10GTWG ONSEMI

ntmfs7d8n10g-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+158.45 грн
500+124.91 грн
1000+109.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS7D8N10GTWG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 187W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMFS7D8N10GTWG за ціною від 109.64 грн до 322.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS7D8N10GTWG NTMFS7D8N10GTWG Виробник : onsemi ntmfs7d8n10g-d.pdf Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 254µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.32 грн
10+213.12 грн
100+150.98 грн
500+116.81 грн
1000+110.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D8N10GTWG NTMFS7D8N10GTWG Виробник : ONSEMI ntmfs7d8n10g-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+322.69 грн
10+219.53 грн
100+158.45 грн
500+124.91 грн
1000+109.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D8N10GTWG Виробник : onsemi NTMFS7D8N10G_D-3006716.pdf MOSFETs 100V MVSOA IN POWER CLIP 5X6 PACKAGE
на замовлення 11766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.12 грн
10+206.43 грн
100+132.42 грн
500+117.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D8N10GTWG Виробник : ON Semiconductor ntmfs7d8n10g-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PQFN EP Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D8N10GTWG Виробник : ONSEMI ntmfs7d8n10g-d.pdf NTMFS7D8N10GTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D8N10GTWG NTMFS7D8N10GTWG Виробник : onsemi ntmfs7d8n10g-d.pdf Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 254µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.