Продукція > ONSEMI > NTMFS7D8N10GTWG
NTMFS7D8N10GTWG

NTMFS7D8N10GTWG ONSEMI

3213451.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+212.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS7D8N10GTWG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 187W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 187W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm.

Інші пропозиції NTMFS7D8N10GTWG за ціною від 117.00 грн до 416.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS7D8N10GTWG NTMFS7D8N10GTWG onsemi ntmfs7d8n10g-d.pdf Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 254µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.18 грн
10+193.10 грн
100+139.01 грн
500+124.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D8N10GTWG NTMFS7D8N10GTWG ONSEMI 3213451.pdf Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.90 грн
10+271.36 грн
100+212.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D8N10GTWG onsemi ntmfs7d8n10g-d.pdf MOSFETs 100V MVSOA IN POWER CLIP 5X6 PACKAGE
на замовлення 7651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.21 грн
10+236.68 грн
100+161.41 грн
500+135.33 грн
1000+125.46 грн
3000+117.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D8N10GTWG ONN ntmfs7d8n10g-d.pdf
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D8N10GTWG ntmfs7d8n10g-d.pdf
NTMFS7D8N10GTWG
Виробник: onsemi
Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 254µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+294.18 грн
10+193.10 грн
100+139.01 грн
500+124.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D8N10GTWG 3213451.pdf
NTMFS7D8N10GTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+416.90 грн
10+271.36 грн
100+212.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D8N10GTWG ntmfs7d8n10g-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V MVSOA IN POWER CLIP 5X6 PACKAGE
на замовлення 7651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+369.21 грн
10+236.68 грн
100+161.41 грн
500+135.33 грн
1000+125.46 грн
3000+117.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D8N10GTWG ntmfs7d8n10g-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.